รายละเอียด

การออกแบบวงจรความถี่สูง / High Frequency Circuit Design

  • 17 สัปดาห์
  • จำนวนนักศึกษา 0 คน
  • อาจารย์ผู้สอน 1 คน

ข้อมูลรายวิชา

  • รหัสรายวิชา : ENGEE216
  • ชื่อรายวิชา(TH) : การออกแบบวงจรความถี่สูง
  • ชื่อรายวิชา (EN) : High Frequency Circuit Design
  • เทอม / ปีการศึกษา : 2/2565

รายละเอียด

เทสๆ

รายวิชา - การออกแบบวงจรความถี่สูง

1. ความรู้เกี่ยวกับอุปกรณ์ความถี่สูง เบื้องต้น 1.1 ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับความถี่วิทยุ 1.1.1 ความสําคัญของการออกแบบย่านความถี่สูง 1.1.2 สเปกตรัมความถี่ 1.2 อุปกรณ์พาสซีฟในงานความถี่สูง 1.2.1 ผลที่เกิดขึ้นต่ออุปกรณ์พาสซีฟที่ใช้งานย่านความถี่วิทยุ 1.2.2 แผ่นวงจรและอุปกรณ์แบบชิป
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

2. การวิเคราะหสายสง 2.1 คุณลักษณะของสายสง 2.1.1 สมการของสายสง 2.1.2 คลื่นแรงดันและกระแสใน สายสง 2.1.3 พารามิเตอรเฉพาะของ สายสง 2.2 สายสงที่ถูกตอดวยโหลดแบบ ต่างๆ 2.2.1 อิมพีแดนซที่อินพุตของ สายสง 2.2.2 สายสงที่ปลายสายถูก ลัดวงจร 2.2.3 สายสงที่ปลายสายถูกเปด วงจร 2.2.4 สายสงควอเตอรเวฟ
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

2.3 วงจรสายสง 2.3.1 การแสดงทางเฟสเซอร์ ของแหลงจาย 2.3.2 กําลังงานในสายสง 2.4 ชนิดของสายสง 2.4.1 สายสงแบบเสนขนาน 2.4.2 สายสงแบบโคแอกเชียล 2.4.3 สายไมโครสตริป
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

3. แผนภาพของสมิธ 3.1 ความสัมพันธของสัมประสิทธิ์ การสะทอนกลับและอิมพีแดนซ ของโหลด 3.1.1 รูปแบบเฟสเซอรของ สัมประสิทธิ์การสะทอน 3.1.2 สมการอิมพีแดนซที่ถูก นอรมอไลซ 3.1.3 สมการพาราเมตริกของ สัมประสิทธิ์การสะทอน 3.2 การแปลงอิมพีแดนซ 3.2.1 การแปลงอิมพีแดนซ สําหรับโหลดทั่วไป 3.2.2 การแปลงอิมพีแดนซกรณี พิเศษ
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

3.3 การแปลงแอดมิตแตนซ 3.3.1 พารามิเตอร์แอดมิต-แตนซ 3.3.2 แผนภาพสมิธแบบZY 3.4 การตอแบบขนานและอนุกรม 3.4.1 การตอแบบขนานของ อุปกรณ R และ L 3.4.2 การตอแบบขนานของ อุปกรณ R และ C 3.4.3 การตอแบบอนุกรมของ อุปกรณ R และ L 3.4.4 การตอแบบอนุกรมของ อุปกรณ R และ C
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

4. การวิเคราะหวงจรขาย 4.1 วงจรพอรตเดียวและหลายพอรต 4.1.1 นิยามของวงจรขาย 4.1.2 เมตริกซอิมพีแตนซ 4.1.3 เมตริกซแอดมิตแตนซ 4.1.4 เมตริกซไฮบริด 4.1.5 เมตริกซเอบีซีดี 4.1.6 การแปลงระหวางเมตริกซ
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

4.2 การตอรวมกันของวงจรขาย 4.2.1การตออนุกรมของวงจรขาย 4.2.2 การตอขนานของวงจรขาย 4.2.3 การตอคาสเคดของวงจร 4.3 พารามิเตอรสแกตเตอริ่ง 4.3.1 นิยามของพารามิเตอร สแกตเตอริ่ง 4.3.2 ความหมายของพารามิ- เตอร์สแกตเตอริ่ง 4.3.3 แผนภาพการไหลของ สัญญาณ
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

5. วงจรกรองยานความถี่สูง 5.1 ผลตอบสนองขอวงจรกรอง 5.1.1 ชนิดของวงจรกรอง 5.1.2 ชนิดของผลตอบสนอง 5.1.3 การสูญเสียอินเซอร์ชั่น 5.2 การวิเคราะหวงจรกรองตนแบบ 5.2.1 วงจรกรองแบบบัตเตอร เวิร์ธ 5.2.2 วงจรกรองแบบเชบีเชฟ

กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

สอบกลางภาค
กิจกรรม :

5.3 การแปลงวงจรกรอง 5.3.1 การแปลงความถี่ 5.3.2 การแปลงอิมพีแดนซ 5.4 การออกแบบวงจรกรอง 5.4.1 ยูนิตอีเลเมนต 5.4.2 เอกลักษณของคุโรดะ 5.4.3 การออกแบบวงจรกรอง ความถี่ต่ำผ่าน 5.4.4 การออกแบบวงจรกรอง ผานแถบความถี่ 5.4.5 การออกแบบวงจรกรอง หยุดแถบความถี่
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

5.5 วงจรกรองแบบคัปเปล 5.5.1 การกระตุนโหมดคี่และคู 5.5.2 สวนวงจรกรองผานแถบ ความถี่ 5.5.3 การคาดเคสองคประกอบ วงจรกรองผานแถบความถี่ 5.5.4 การออกแบบวงจรกรอง

กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

5.6 การใชโปรแกรมคอมพิวเตอรเพื่อ จําลองวงจรกรอง 5.6.1 การตั้งคาพารามิเตอรของ โปรแกรม 5.6.2 การเขียนวงจร 5.6.3 การออปติไมซผลตอบ สนอง

กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

6. อุปกรณสารกึ่งตัวนําในงานความถี่สูง 6.1 ไดโอด 6.1.1 ไดโอดแบบชอตตกี 6.1.2 ไดโอดแบบ PIN 6.1.3 ไดโอดแบบวาแรกเตอร 6.1.4 ไดโอดแบบกันน 6.2 ทรานซิสเตอร 6.2.1 ทรานซิสเตอรแบบBJT 6.2.2 ทรานซิสเตอรแบบFET 7. วงจรขายการแมตชและการไบอัส 7.1 การแมตชอิมพีแดนซดวย อุปกรณแบบดิสคริต 7.1.1 วงจรขายการแมตชรูปแอล 7.1.2 วงจรขายการแมตชรูปตัวที และไพ
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

7.2 วงจรขายการแมตชโดยใชสาย ไมโครสตริป 7.2.1 วงจรขายการแมตชแบบ สตับเดี่ยว 7.2.2 วงจรขายการแมตชแบบ สตับคู 7.3 กลุ่มของวงจรขยายและการ ไบอัส 7.3.1 กลุ่มและประสิทธิภาพ ของวงจรขยาย 7.3.2 วงจรขายการไบอัส ทรานซิสเตอรแบบBJT 7.3.3 วงจรขายการไบอัส ทรานซิสเตอรFET
กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

8. วงจรขยายแบบทรานซิสเตอร 8.1 คุณลักษณะของวงจรขยาย 8.1.1 พารามิเตอรของวงจรขยาย 8.1.2 แหลงจายความถี่วิทยุ 8.1.3 อัตราขยาย 8.1.4 สเถียรภาพของวงจรขยาย 8.2 การออกแบบวงจรขยาย 8.2.1 การออกแบบวงจรขยาย ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำ 8.2.2 การออกแบบวงจรขยาย ที่มีเกนสูง

กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

9. วงจรออสซิลเลเตอรและมิกเซอร 9.1 วงจรออสซิลเลเตอร 9.1.1 บลอคไดอะแกรมของ ออสซิลเลเตอร 9.1.2 ออสซิลเลเตอรแบบความ ตานทานลบ 9.1.3 การออกแบบออสซิลเล- เตอรแบบปอนกลับ 9.1.2 ออสซิลเลเตอรแบบ ควบคุมดวยแรงดัน 9.2 มิกเซอร 9.2.1 คุณลักษณะของมิกเซอร 9.2.2 หลักการของมิกเซอร 9.2.3 การออกแบบมิกเซอรแบบ ซิงเกิล-เอนด

กิจกรรม : 1.การบรรยายและยกตัวอย่างประกอบ 2.แบ่งกลุ่มแก้โจทย์ปัญหาร่วมกัน

สอบปลายภาค
กิจกรรม :

อาจารย์ผู้สอน